中车时代电气碳化硅器件项目通过科技成果鉴定

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 科技成果鉴定会 碳化硅器件 电气 西安电子科技大学 电子研究所 中国科学院 电力电子器件 MOSFET
• 年，卷（期）: bdtxx_2017,（5）
• 页码范围: 13-14
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.24

摘要

日前,由中国科学院微电子研究所和株洲中车时代电气股份有限公司共同完成的＂高性能SiC SBD、MOSFET电力电子器件产品研制与应用验证＂项目科技成果鉴定会在北京顺利召开。本次鉴定会由中国电子学会组织,西安电子科技大学的郝跃院士担任鉴定会主任.