用密度泛函理论研究汞在CeO2(111)表面的吸附

• 作者: 周小亮 张秋香 许琦 陆洪彬 陆玉
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 汞 CeO2 (111)表面 密度泛函理论 吸附
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 559-563,574
• 页数: 6页
• 分类号: TQ424
• 字数: 3451字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.04.009

摘要

采用密度泛函理论计算了Hg、HgCl、HgCl2在CeO2 (111)表面的吸附构型、吸附能和态密度.结果表明,Hg在CeO2(111)表面属于弱化学吸附.HgCl与CeO2(111)表面为强化学吸附,是反应的重要中间体.HgCl2在CeO2(111)表面是物理吸附,易发生解离,脱除.氯对于汞的吸附和氧化产生较强的影响,这与实验结果相一致.基于计算结果,得到汞在CeO2 (111)表面的反应机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许琦	盐城工学院化学与生物工程学院	73	581	14.0	22.0
2	张秋香	南京大学南通材料工程技术研究院	11	71	5.0	8.0
3	陆洪彬	南京大学南通材料工程技术研究院	8	97	5.0	8.0
4	陆玉	南京大学南通材料工程技术研究院	7	64	4.0	7.0
5	周小亮	南京大学南通材料工程技术研究院	1	0	0.0	0.0