GaN衬底的腐蚀程度对ZnO纳米棒阵列光学性能的调控

• 作者: 乔建东 余春燕 尚林 庞泽鹏 梅伏洪 许并社
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO纳米棒 水热法 GaN衬底 湿法腐蚀 光学性能
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1307-1313
• 页数: 7页
• 分类号: O472.1|TN364
• 字数: 3841字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173810.1307

摘要

研究了在湿法腐蚀GaN衬底上生长的ZnO纳米棒阵列的微结构和光学性能.相比于未经腐蚀及腐蚀5 min、10 min的GaN上生长的ZnO纳米棒阵列,在腐蚀8 min的GaN上生长的ZnO纳米棒阵列最细密,光学性能最好,其相应PL光谱峰强积分比IUV/Ivis最大(70.92).因为此时GaN衬底中的位错基本全部在表面露头,ZnO容易附着而形成更多的形核种子,并且衬底的位错在表面的边缘有助于诱导ZnO晶体的外延生长,所以ZnO棒更加细密,晶体质量更高,从而光学性能更好.