聚酰亚胺薄膜在电晕放电下击穿特点分析

• 作者: 刘立柱 姜秀刚 张明玉 张正中
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 聚酰亚胺 PI/Al2O3复合薄膜 电晕放电 老化 击穿
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 66-69,74
• 页数: 5页
• 分类号: TM215.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.03.015

摘要

为探讨电晕放电引起聚酰亚胺(PI)薄膜绝缘老化的原因,利用扫描电镜(SEM)分别研究了纯PI薄膜和PI/Al2O3复合薄膜在电晕放电下老化击穿的特点,并通过重复电晕老化击穿实验统计了薄膜击穿位置出现的规律.结果表明:电晕老化击穿后纯PI薄膜和PI/Al2O3复合薄膜均形成了直径约为20μm的圆形击穿孔,统计击穿孔的位置发现大多数击穿位置集中在特定的圆心区和边缘区,只有少数击穿发生在电晕破坏环上,说明电晕放电对薄膜的破坏并不是引起薄膜最终老化击穿的主要原因,电晕放电产生大量的热量在薄膜上积累引发的热击穿导致薄膜最终发生了热老化击穿.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘立柱	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	100	618	11.0	17.0
2	张正中	苏州工业职业技术学院电子与通信工程系	8	10	2.0	3.0
3	张明玉	苏州工业职业技术学院电子与通信工程系	3	3	1.0	1.0
4	姜秀刚		1	3	1.0	1.0