NiOx多晶薄膜的变温电阻开关特性与隧穿机制

• 作者: 孟祥申 张婷 李鲁涛 王瑞雪 邱晓燕 魏明龙
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: NiOx多晶薄膜 电阻开关特性 温度依赖性 隧穿机制
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1163-1171
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/N972016-01021

摘要

利用射频磁控溅射方法沉积制备了Ag/NiOx/Pt存储单元,研究了其微结构、电阻开关特性随测试温度的变化.微结构观测分析发现,沉积制备薄膜为富氧的NiOx多晶薄膜.Ag/NiOx/Pt存储单元的电流-电压测试曲线呈现阈值型电阻开关特性:分别在2.1～2.4 Ⅴ的正偏压范围和-2～-2.2 Ⅴ的负偏压范围内观测到了高低电阻态之间的稳定可逆跳变,随着测试温度的升高,负偏压范围的电阻开关现象在140℃基本消失,而正偏压范围内的电阻开关现象可维持到270℃.运用指数定律拟合室温电流-电压曲线结果表明,薄膜隧穿电流属于缺陷主导的空间限制电流;运用Arrhenius作图法拟合的电流-温度曲线满足线性关系,表明薄膜隧穿电流随测试温度的变化符合肖特基热激发隧穿机制.在周期性电场作用下,从银电极扩散进入薄膜内的Ag离子的氧化还原反应导致存储单元呈现阈值型电阻开关特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张婷		68	264	9.0	14.0
2	王瑞雪		11	2	1.0	1.0
3	邱晓燕		19	12	2.0	3.0
4	孟祥申		4	1	1.0	1.0
5	李鲁涛		3	0	0.0	0.0
6	魏明龙		3	0	0.0	0.0