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摘要:
采用外建激光谐振腔,在低于原芯片阈值的电流激励下对LDA的每个发光点进行单独测量,从而分析整个半导体激光阵列(LDA)的smile效应.实验中利用镀膜反射率大于半导体前腔面的外腔镜形成外腔半导体激光器.在外腔中插入曲面平行于p-n结的柱面镜,使只在光轴上的发光点与外腔镜形成外腔激光器,降低该发光点的激光阈值,从而使其在正常的阈值以下的电流激励下输出激光,在平行于p-n结的方向移动柱面镜,可以逐个对半导体激光器中的发光点进行选择测量,从而获得LDA smile效应的测量值.测量中的低电流激励产生的热量对芯片寿命没有影响,对LDA的发光点的单个测量也避免了其他发光点对CCD的影响.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 基于外腔反馈二极管线阵列的smile效应测量方法
来源期刊 发光学报 学科 工学
关键词 半导体激光器 外腔反馈 smile效应
年,卷(期) 2017,(10) 所属期刊栏目 器件制备及器件物理
研究方向 页码范围 1302-1306
页数 5页 分类号 TN31
字数 1469字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20173810.1302
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研究主题发展历程
节点文献
半导体激光器
外腔反馈
smile效应
研究起点
研究来源
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相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
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