化学气相沉积法制备β-Ga2O3纳米结构及其缺陷发光性质研究

• 作者: 薛金玲 马剑钢
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学气相沉积 β-Ga2O3 阴极射线发光 氧空位
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1273-1279
• 页数: 7页
• 分类号: O482.31
• 字数: 3673字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173810.1273

摘要

利用化学气相沉积法(CVD),在不同压强下分别得到β-Ga2 O3纳米线(NWs)和纳米带(NBs).研究结果表明,获得的NWs与NBs均为单斜结构的β-Ga2 O3,且NWs结晶质量优于NBs.在阴极射线发光(CL)光谱中,发现NWs与NBs在近紫外和蓝光波段有较强的发光.对比NWs与NBs的CL光谱,推断β-Ga2 O3在374 nm和459 nm的近紫外和蓝色发光峰分别来自于Ⅰ型和Ⅱ型氧空位(VO(I)和VO(Ⅱ))的缺陷复合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马剑钢	东北师范大学紫外光发射材料与技术教育部重点实验室	6	5	2.0	2.0
2	薛金玲	东北师范大学紫外光发射材料与技术教育部重点实验室	2	5	2.0	2.0