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摘要:
为了研究蓝宝石/SiO2/AlN/GaN光阴极组件外延片热应力分布及影响因素,以直径d为φ40 mm的GaN外延片为研究对象,利用有限元分析法对其表面热应力分布进行了理论计算和仿真,验证了仿真模型的合理性.分析了外延片径向和厚度方向的应力分布,结果显示:在1200℃的生长温度下,径向区域内的热应力分布比较均匀,热应力变化范围为±1.38%;生长温度在400℃到1200℃范围内,外延层表面应力与生长温度呈近似正比关系.分析了外延片生长温度、蓝宝石衬底和SiO2、AlN过渡层厚度对表面热应力的影响.研究成果可为该类外延片生长工艺研究和低应力外延片的筛选标准制定提供借鉴.
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文献信息
篇名 蓝宝石/SiO2/AlN/GaN多层结构表面热应力仿真分析
来源期刊 红外技术 学科 工学
关键词 薄膜技术 热应力 氮化镓 有限元 仿真
年,卷(期) 2017,(5) 所属期刊栏目 材料与器件
研究方向 页码范围 463-468
页数 6页 分类号 TB43|O434.2
字数 4073字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴玲玲 西安工业大学光电工程学院 31 103 6.0 9.0
2 陈靖 西安工业大学光电工程学院 20 45 5.0 6.0
3 程宏昌 18 42 4.0 6.0
4 苗壮 12 34 3.0 5.0
5 冯刘 8 11 2.0 3.0
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红外技术
月刊
1001-8891
53-1053/TN
大16开
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
64-26
1979
chi
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