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摘要:
在很高的谐振频率下,若使用传统的MOSFET作为无线电能传输(WPT)的发射端逆变电路的开关器件,会出现开关损耗大、发热量高以及很难实现软开关等造成系统效率低且不稳定的问题.为解决以上问题,提出了基于D类和E类放大器的拓扑结构,使用GaN(C)FET开关管,实现了高频下的无线电能传输.以串串补偿拓扑的WPT系统为基础,分析应用于WPT系统的E类和D类的功率放大器的结构和原理,在频率为1 MHz下实现了软开关,提高了系统的效率和可靠性.通过LTspice对试验进行仿真,得出试验结果.
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文献信息
篇名 基于eGaN(C)FET的磁耦合谐振式无线电能传输系统的优化与可靠性分析
来源期刊 电器与能效管理技术 学科 工学
关键词 无线电能传输(WPT) ZVS D类放大器 E类放大器 eGaN(C)FET 可靠性
年,卷(期) 2017,(17) 所属期刊栏目 研究与分析
研究方向 页码范围 9-14
页数 6页 分类号 TM724
字数 2413字 语种 中文
DOI 10.16628/j.cnki.2095-8188.2017.17.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 崔玉龙 北京化工大学信息科学与技术学院 43 342 8.0 18.0
2 于浩然 北京化工大学信息科学与技术学院 2 1 1.0 1.0
3 相春蕾 北京化工大学信息科学与技术学院 3 5 1.0 2.0
传播情况
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2018(1)
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研究主题发展历程
节点文献
无线电能传输(WPT)
ZVS
D类放大器
E类放大器
eGaN(C)FET
可靠性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电器与能效管理技术
半月刊
2095-8188
31-2099/TM
大16开
上海市武宁路505号
4-200
1959
chi
出版文献量(篇)
6528
总下载数(次)
20
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