三明治结构聚酰亚胺/SiO2纳米复合薄膜电学性能研究

• 作者: 夏旭 姚磊 李佳龙 殷景华 王志强
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 聚酰亚胺 纳米SiO2 三明治结构 耐电晕 介电性能
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 23-27,31
• 页数: 6页
• 分类号: TM215.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.03.006

摘要

采用原位聚合法制备了三明治结构的SiO2纳米掺杂聚酰亚胺(PI)复合薄膜SiO2-PI/PI/SiO2-PI.利用透射电镜(TEM)、X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)表征SiO2纳米颗粒的分散状态及三层复合薄膜的断面结构,研究三层结构复合薄膜的介电性能、电导率、耐电晕性能和电气强度等电学性能.结果表明:SiO2纳米颗粒可均匀地分散于聚酰亚胺基体中,三层复合薄膜具有清晰的界面分层;当SiO2纳米颗粒掺杂量为20%时,三层复合薄膜的耐电晕老化时间最长,分别为纯PI和单层PI/SiO2复合薄膜的26倍和2倍;当SiO2纳米颗粒掺杂量为15%时,三层复合薄膜的电气强度达到最大值(280.6 kV/mm).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷景华	哈尔滨理工大学应用科学学院	74	301	9.0	12.0
5	王志强	哈尔滨理工大学应用科学学院	7	51	4.0	7.0
6	夏旭	哈尔滨理工大学应用科学学院	2	6	1.0	2.0
7	姚磊	哈尔滨理工大学应用科学学院	2	18	2.0	2.0
8	李佳龙	哈尔滨理工大学应用科学学院	2	10	2.0	2.0