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摘要:
RS485通信协议要求:RS485驱动器输出短路至-7~12 V时,短路电流应小于250 mA.常规短路保护电路采用高压MOS实现,由于高压MOS栅极氧化层厚度很大,无法满足抗总剂量辐射加固的要求.提出了一种新型的驱动器输出短路保护电路,该电路利用5 V低压MOS管实现,通过合理设计线路、版图,实现了良好的短路保护效果和抗总剂量辐射能力.电路采用0.8μm SOI CMOS工艺设计实现,常规及辐照测试结果证明了设计的正确性.
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文献信息
篇名 一种抗辐射加固RS485驱动器的设计
来源期刊 太赫兹科学与电子信息学报 学科 工学
关键词 RS485驱动器 总剂量辐射效应 抗辐射加固
年,卷(期) 2017,(3) 所属期刊栏目 微电子、微系统与物理电子学
研究方向 页码范围 496-499
页数 4页 分类号 TN602
字数 1631字 语种 中文
DOI 10.11805/TKYDA201703.0496
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄晓宗 7 28 2.0 5.0
5 高兴国 6 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
RS485驱动器
总剂量辐射效应
抗辐射加固
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
太赫兹科学与电子信息学报
双月刊
2095-4980
51-1746/TN
大16开
四川绵阳919信箱532分箱
62-241
2003
chi
出版文献量(篇)
3051
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7
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11167
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