全耗尽绝缘硅FD-SOI工艺技术的特点分析

• 作者: 孔文
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 全耗尽绝缘硅 RF-SOI
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 3339字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.11.009

摘要

在先进的IC制造工艺方面,由Intel主导的FinFET一直大行其道.而最近这几年,SOI,包括FD-SOI和RF-SOI越来越受到人们的关注,特别是随着物联网和5G时代的到来,其技术优势和应用前景也越发地被看好.在应用层面,总的来说,FinFET的目标市场是中高端的高性能集成电路,而FD-SOI则是面向中端的、要求低功耗和高性价比的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孔文		1	0	0.0	0.0