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摘要:
混频器应用在多标准领域中,对混频器的线性度和噪声性能提出了严格的要求.文中提出了一种新型的高线性、低噪声CMOS混频器.该混频器同时采用了三阶失真抵消技术和噪声抵消技术.采用TSMC 0.13μm CMOS工艺进行设计并流片实现,测试结果表明,较之传统的吉尔伯特混频器而言,文中混频器的输入三阶交调点IIP3增加了6.18dBm,噪声系数下降了3.5dB,而用于三阶失真抵消技术和噪声抵消技术的电路部分仅使混频器多消耗了0.85mA的电流.
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文献信息
篇名 一种高线性低噪声CMOS混频器设计
来源期刊 信息技术 学科 工学
关键词 CMOS混频器 三阶失真抵消技术 噪声抵消
年,卷(期) 2017,(9) 所属期刊栏目 应用技术
研究方向 页码范围 154-158
页数 5页 分类号 TN432
字数 2257字 语种 中文
DOI 10.13274/j.cnki.hdzj.2017.09.037
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS混频器
三阶失真抵消技术
噪声抵消
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
信息技术
月刊
1009-2552
23-1557/TN
大16开
哈尔滨市南岗区黄河路122号
14-36
1977
chi
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