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基于标准CMOS工艺的UV/blue光电探测器
基于标准CMOS工艺的UV/blue光电探测器
作者:
乔静
廖建文
朱长举
毛陆虹
董威锋
谢生
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
光电器件
响应度
弱光探测
紫外/蓝光
CMOS工艺
动态范围
选择性
摘要:
基于UMC 0.18μm CMOS工艺,提出一种适合紫外/蓝光探测的探测器,该器件由栅体互联的NMOS晶体管和横向/纵向光电二极管构成.其中,浅结的光电二极管由UMC工艺中Twell层(浅P阱)和Nwell层形成,以增强其对紫外/蓝光的吸收,栅体互联的NMOS晶体管可以放大光电流,提高探测器的灵敏度和动态范围.仿真结果表明,本文设计的紫外/蓝光探测器具有低的工作电压和暗电流,对300~550 nm波长范围的光具有高的响应度和宽的动态范围.在弱光条件下(光强小于1μW/cm2),响应度优于105 A/W,随着光强增大,响应度逐渐降低,但总体仍超过103 A/W.
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时间响应
灵敏度
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新型超快光电辐射探测器研制
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时间响应
最大线性电流
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内容分析
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文献信息
篇名
基于标准CMOS工艺的UV/blue光电探测器
来源期刊
光子学报
学科
工学
关键词
光电器件
响应度
弱光探测
紫外/蓝光
CMOS工艺
动态范围
选择性
年,卷(期)
2017,(9)
所属期刊栏目
光学器件
研究方向
页码范围
32-37
页数
6页
分类号
TN364.1|TN386.6
字数
语种
中文
DOI
10.3788/gzxb20174609.0923001
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
毛陆虹
天津大学电气自动化与信息工程学院
165
736
12.0
20.0
2
谢生
天津大学微电子学院天津市成像与感知徽电子技术重点实验室
68
232
7.0
11.0
3
乔静
天津大学微电子学院天津市成像与感知徽电子技术重点实验室
2
5
1.0
2.0
4
董威锋
天津大学微电子学院天津市成像与感知徽电子技术重点实验室
3
5
1.0
2.0
5
廖建文
天津大学电气自动化与信息工程学院
1
4
1.0
1.0
6
朱长举
天津大学电气自动化与信息工程学院
1
4
1.0
1.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
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共引文献
(12)
参考文献
(13)
节点文献
引证文献
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同被引文献
(10)
二级引证文献
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1972(1)
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二级参考文献(1)
1979(1)
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1991(2)
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1992(3)
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2017(3)
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2019(3)
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研究主题发展历程
节点文献
光电器件
响应度
弱光探测
紫外/蓝光
CMOS工艺
动态范围
选择性
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光子学报
主办单位:
中国光学学会
中国科学院西安光学精密机械研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1004-4213
CN:
61-1235/O4
开本:
大16开
出版地:
西安市长安区新型工业园信息大道17号47分箱
邮发代号:
52-105
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
8749
总下载数(次)
11
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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