场效应管时间相关介质击穿的失效机制研究

• 作者: 刘峰松 陆金 陶有飞
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 时间相关介质击穿 栅氧 场效应管 应力 退火
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 30-34
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 3348字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.11.007

摘要

TDDB(Time dependent Dielectric Breakdown)时间相关介质击穿,表征与时间相关的介质电击穿.在金属场效应管器件里是用来测试栅氧层可靠性的关键参数.PEM(process evaluation module)可靠性测试片上发现,多晶叉齿结构更易造成TDDB失效.交叉实验研究表明氮化硅上顶层金属在热过程下的形变是TDDB在PEM结构上失效的主要原因.可以通过降低退火温度和氮化硅压应力的补偿来改善,可有效解决TDDB失效.同时发现介质层ILD的膜质组成也会对TDDB失效有一定影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘峰松		2	2	1.0	1.0
2	陆金		2	2	1.0	1.0
3	陶有飞		2	2	1.0	1.0