三维集成中的TSV技术

• 作者: 张宁
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 硅通孔 刻蚀 铜填充 铜暴露
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 17-22
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 3349字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.11.005

摘要

近几年,硅通孔(through-silicon vias,TSV)技术发展迅速,拥有着低功耗、小外形、高性能和高堆叠密度等优势的它得到工业界的广泛认可,具有延续摩尔定律发展的潜力.本文中作者介绍了TSV的工艺流程和关键技术,对蚀刻、分离、金属填充,以及铜暴露等重要工艺流程进行了详细描述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张宁	合肥工业大学信息工程系	11	21	3.0	4.0