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窄带隙半导体耦合Bi2S3/g-C3N4催化剂制备及光催化性能
窄带隙半导体耦合Bi2S3/g-C3N4催化剂制备及光催化性能
作者:
张风丽
段芳
陈明清
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Bi2S3
g-C3N4
复合
光催化
可见光
摘要:
利用原位生成法,制备了Bi2S3含量可调的Bi2S3/g-C3N4复合材料.通过X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、光致发光光谱(PL)、时间分辨荧光衰减光谱等手段对制备的光催化剂物相、形貌、结构和性能进行表征分析.可见光照射下,以罗丹明B (RhB)为降解模型评价Bi2S3/g-C3N4复合材料的催化性能.结果表明:Bi2S3沉积在g-C3N4表面,显著增强g-C3N4的可见光催化性能,并随着Bi2S3含量不同,复合光催化剂Bi2S3/g-C3N4的催化性能发生变化,其中Bi2S3质量分数为5%时表现出最佳的可见光催化活性.利用捕获剂、NBT转化确定h+是主要的活性物种,O2-·是次要活性物种.对Bi2S3/g-C3N4光催化活性增强机理进行研究,Bi2S3的加入显著增强g-C3N4对可见光的吸收,并与g-C3N4之间形成异质结,促进光生电子空穴的有效分离,延长载流子寿命,显著增强g-C3N4光催化性能.
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文献信息
篇名
窄带隙半导体耦合Bi2S3/g-C3N4催化剂制备及光催化性能
来源期刊
化学工程
学科
化学
关键词
Bi2S3
g-C3N4
复合
光催化
可见光
年,卷(期)
2017,(4)
所属期刊栏目
材料科学
研究方向
页码范围
18-24
页数
7页
分类号
O644
字数
4336字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1005-9954.2017.04.005
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
陈明清
江南大学化学与材料工程学院
310
2397
22.0
33.0
2
段芳
江南大学化学与材料工程学院
24
49
4.0
6.0
3
张风丽
江南大学化学与材料工程学院
3
6
2.0
2.0
传播情况
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2019(4)
引证文献(2)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
Bi2S3
g-C3N4
复合
光催化
可见光
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
化学工程
主办单位:
华陆工程科技有限责任公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1005-9954
CN:
61-1136/TQ
开本:
大16开
出版地:
西安市高新区唐延南路7号华陆大厦《化学工程》编辑部
邮发代号:
52-52
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
4206
总下载数(次)
5
总被引数(次)
27049
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