黑硅微结构与光学特性研究

• 作者: 伍明娟 刘晓琴 向华兵 寇琳来 廖乃镘 李仁豪 杨修伟 罗春林
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 黑硅 微结构 光学性能
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 818-821
• 页数: 4页
• 分类号: TQ127.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2017.06.011

摘要

利用无掩模反应离子刻蚀法制备黑硅,研究了黑硅微结构密度和高度对其光学特性的影响.采用场发射扫描电子显微镜和带积分球的紫外-可见-近红外分光光度计分别表征黑硅微结构形貌和光学特性.研究结果表明,黑硅微结构密度增大和高度增加,则黑硅吸收率增大,高度较大的微结构更加有利于增强黑硅近红外光吸收.无掩模反应离子刻蚀法制备的黑硅的吸收率在高温退火过程中保持稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李仁豪		24	60	5.0	6.0
2	杨修伟		6	7	2.0	2.0
3	伍明娟		6	2	1.0	1.0
4	刘晓琴	中国人民解放军驻重庆气体压缩机厂军事代表室	12	25	3.0	4.0
5	廖乃镘		14	12	2.0	2.0
6	向华兵		6	4	1.0	2.0
7	罗春林		8	8	2.0	2.0
8	寇琳来		3	0	0.0	0.0