AlGaInAs/InP应变补偿多量子阱激光器

• 作者: 刘应军 朱天雄 李灯熬 田彦婷 罗飚 贾华宇
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 量子阱结构 应变补偿 AlGaInAs/InP
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 激光物理与激光器件
• 页码范围: 654-658
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 4515字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2017.05.007

摘要

为了优化在长距离光纤通讯系统中采用的1.31μm波长的量子阱激光器,对AlGaInAs/InP材料的有源区应变补偿的量子阱激光器进行了设计研究.采用应变补偿的方法,根据克龙尼克-潘纳模型理论计算出量子阱的能带结构,设计出有源区由1.12%的压应变AlGaInAs阱层和0.4%的张应变AlGaInAs垒层构成.使用ALDS软件对所设计出的器件进行了建模仿真,对其进行了阈值分析和稳态分析.结果表明,在室温25℃下,该激光器具有9mA的低阈值电流和0.4W/A较高的单面斜率效率;在势垒层采用与势阱层应变相反的适当应变,可以降低生长过程中的平均应变量,保证有源区良好的生长,改善量子阱结构的能带结构,提高对载流子的限制能力,降低阈值电流,提高饱和功率,改善器件的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李灯熬	太原理工大学信息工程学院	76	285	7.0	12.0
2	贾华宇	太原理工大学信息工程学院	20	49	4.0	5.0
3	罗飚		14	21	3.0	3.0
4	刘应军		5	7	1.0	2.0
5	朱天雄	太原理工大学物理与光电工程学院	2	2	1.0	1.0
6	田彦婷	太原理工大学物理与光电工程学院	8	2	1.0	1.0