硅、磷配施对玉米苗期生长及氮磷钾积累的影响

• 作者: 孔凡磊 张嘉莉 朱从桦 王兴龙 袁继超 豆攀 马晓君
• 来源期刊: 中国生态农业学报(中英文)
• 关键词: 玉米 苗期 硅磷配施 养分积累 养分利用 干物质积累
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 作物栽培与生理生态
• 页码范围: 677-688
• 页数: 12页
• 分类号: S513
• 语种: 中文
• DOI: 10.13930/j.cnki.cjea.170222

摘要

以'正红2号'和'正红115'玉米为材料,采用砂培方式,设置3个纯磷水平[1.0 mmol·L-1(正常磷水平,P1.0)、0.1 mmol·L-1(中度缺磷,P0.1)和0.01 mmol·L-1(重度缺磷,P0.01)]和3个纯硅水平[1.5 mmol·L-1(Si1.5)、0.75 mmol·L-1(Si0.75)和0 mmol·L-1(Si0)],通过对玉米苗期干物质、叶面积、根系形态和氮磷钾含量的测定分析,研究硅、磷配施对玉米苗期根系生长、各器官干物质及氮、磷和钾养分积累与利用的影响,为磷、硅肥合理配施提供理论依据.结果表明:缺磷抑制玉米苗期生长,降低根长、根体积、根表面积和叶面积,减少磷和氮、钾的吸收以及干物质积累量,这种效应随磷浓度的降低而增强;玉米通过提高根冠比,增加磷、氮在根系中的分配率,提高氮、磷、钾的干物质生产效率来适应低磷环境;低磷胁迫对'正红115'根系生长和磷吸收积累量的影响大于'正红2号',但'正红115'在低磷条件下大幅度提高磷在根系中的分配率.在正常磷(P1.0)条件下加硅可促进玉米根系生长,增加磷和氮、钾积累量,提高其在地上部分配率,增加叶面积和干物质积累量;在中度缺磷(P0.1)条件下加硅也可增加玉米的磷和氮、钾积累量,促进根系和地上部生长,缓解低磷胁迫;在重度缺磷(P0.01)条件下,增施硅对玉米根系生长和干物质积累无显著的改善作用,但会增加根系中磷、钾素积累量.由此表明,硅和磷存在显著的协同作用和配合效应,生产上硅和磷应配施.