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CVD法制备高质量金刚石单晶研究进展
CVD法制备高质量金刚石单晶研究进展
作者:
刘晓晨
姜龙
安晓明
李义锋
郭辉
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
微波等离子体
化学气相沉积(CVD)
金刚石单晶
摘要:
本文介绍了制备单晶金刚石的主要方法并对其进行了对比,从籽晶选择、预处理和生长工艺几个方面综述了微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石单晶的研究进展,并简单介绍了目前国内外在单晶金刚石制备上的进展,最后对CVD金刚石单晶在电子领域的应用进行了展望.
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质量密度
同质外延单晶CVD金刚石的研究进展
单晶金刚石
化学气相沉积
同质外延
生长速率
CVD单晶金刚石的研究进展
化学气相沉积
单晶金刚石
生长参数
研究成果
内容分析
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相关学者/机构
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内容分析
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文献信息
篇名
CVD法制备高质量金刚石单晶研究进展
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
微波等离子体
化学气相沉积(CVD)
金刚石单晶
年,卷(期)
2017,(10)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
1897-1901
页数
5页
分类号
O78
字数
3607字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-985X.2017.10.004
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
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郭辉
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节点文献
微波等离子体
化学气相沉积(CVD)
金刚石单晶
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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