一种MEMS开关驱动电路的设计

• 作者: 孙俊峰 朱健 李智群 郁元卫 钱可强
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷泵 MEMS开关 升压倍数 SOI Trench工艺
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 361-365
• 页数: 5页
• 分类号: TN492
• 字数: 2284字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2017.02.020

摘要

静电驱动MEMS开关可靠工作需要较高的驱动电压,大多数射频前端系统很难直接提供,因此需要一种实现电压转换和控制的专用芯片,以满足MEMS开关的实用化需要.基于200 V SOI CMOS工艺设计的高升压倍数MEMS开关驱动电路,采用低击穿电压的Cockcroft-Walton电荷泵结构,结合特有的Trench工艺使电路的性能大大提高.仿真结果显示驱动电路在5 V电源电压、0.2 pF电容和1 GΩ电阻并联负载下,输出电压达到82.7 V,满足大多数MEMS开关对高驱动电压的需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱健		43	318	11.0	16.0
3	李智群	东南大学射频与光电集成电路研究所	76	576	10.0	20.0
9	郁元卫		20	101	6.0	9.0
13	孙俊峰		5	43	3.0	5.0
15	钱可强		2	2	1.0	1.0