EUV光刻技术的难点分析

• 作者: Mark LaPedus
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 EUV光刻 图案对准 光源 防护膜
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 47-51
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 5281字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.11.011

摘要

极紫外(EUV)光刻技术正蓄势待发,但为了将这项人们期待已久的技术用于大规模生产,还仍然有一些难题有待解决.EUV光刻是在芯片上图案化微小特征的下一代技术,原本预期在2012年左右投入生产.但这么多年过去了,EUV不断延后,从一个节点拖到了下一个节点.和之前的技术一样,要将EUV投入大规模制造,有一些问题还要解决.芯片制造商还必须权衡各种复杂的利弊关系.