基于SiC器件的高效率功率因数校正电源研究

• 作者: 占金祥 肖龙 范鹏飞 陈国柱 陈浩
• 来源期刊: 机电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 功率因数校正 SiC器件 AC-DC变换器
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 电工技术
• 页码范围: 399-402
• 页数: 4页
• 分类号: TM501+.1|TP461
• 字数: 3034字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4551.2017.04.015

摘要

针对传统有桥Boost功率因数校正电路效率不高的问题,分析了Boost功率因数校正电路的基本结构以及控制方法,SiC器件的特点和发展历程,提出了使用SiC器件来提升其功率密度的方案.介绍了功率因数校正电路中重要参数的设计,简述了一种适用于PFC功率电感的设计方法以及主要设计步骤,并分析了传统有桥功率因数校正电路的损耗分布情况.选取了数家公司生产的不同材料的MOSFET,搭建了对应的1.2 kW实验样机,并测量了各个样机效率.研究结果表明,在115 V交流输入下,相比infineon 公司最新的具有超结结构的CoolMOS,ROHM公司的大电流Si MOSFET,使用SiC MOSFET能够提升有桥功率因数电路的工作效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈浩	浙江大学电气工程学院	45	281	9.0	16.0
2	陈国柱	浙江大学电气工程学院	96	1637	20.0	39.0
3	占金祥	浙江大学电气工程学院	2	1	1.0	1.0
4	肖龙	浙江大学电气工程学院	3	6	1.0	2.0
5	范鹏飞	浙江大学电气工程学院	1	1	1.0	1.0