二氧化硅纳米球对硼酸源扩散形成p+硅层性能的影响

• 作者: 余双龙 吴文文 李金泽 杨楠楠 杨艳 沈鸿烈 蒋晔 金磊
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 硼扩散 SiO2纳米球 富硼层 均匀性 少子寿命
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 3466字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2017.012.003

摘要

为了提高B扩散掺杂层的性能,提出了用含有二氧化硅纳米球的硼酸溶液作为硼源对硅片进行扩散的方法.采用扫描电子显微镜、四探针和少子寿命测试等技术研究了SiO2纳米球对硼酸源扩散形成p+硅层性能的影响.综合分析发现,与未添加SiO2纳米球相比,扩散后生成的富硼层厚度明显减小,由130 nm降低到15 nm;同时,扩散的均匀性由88.17％提高到了96.79％.此外,添加SiO2纳米球进行扩散后p-n结深有所减小,少数载流子寿命明显提高.研究结果表明,SiO2纳米球可以显著提高液态硼源扩散掺杂形成p+硅层的性能.