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摘要:
N-Well BiCMOS[B]技术能够实现双极型与CMOS元器件兼容的工艺.为了便于集成,采用双极型制程为基础,引入CMOS元器件工艺,在同一硅衬底上实现兼容的BiCMOS[B]工艺.采用BiCMOS[B]集成电路芯片结构设计、工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构.
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文献信息
篇名 N-Well BiCMOS[B]芯片与制程剖面结构
来源期刊 集成电路应用 学科 工学
关键词 集成电路制造 工艺 N-Well BiCMOS[B] 剖面结构
年,卷(期) 2017,(11) 所属期刊栏目 工艺与制造
研究方向 页码范围 42-46
页数 5页 分类号 TN405
字数 4518字 语种 中文
DOI 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.11.010
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作者信息
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1 潘桂忠 19 50 4.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路制造
工艺
N-Well BiCMOS[B]
剖面结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路应用
月刊
1674-2583
31-1325/TN
16开
上海宜山路810号
1984
chi
出版文献量(篇)
4823
总下载数(次)
15
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