镧掺杂PZT薄膜的制备和表征

• 作者: 李奇 王富安 许文才 邹赫麟
• 来源期刊: 机电技术
• 学科: 工学
• 关键词: PLZT薄膜 La掺杂 相对介电常数 铁电性能
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与工艺
• 页码范围: 76-79,85
• 页数: 5页
• 分类号: TB16
• 字数: 2982字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19508/j.cnki.1672-4801.2017.04.023

摘要

采用溶胶凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备掺镧锆钛酸铅薄膜(Pb1-xLaxZr0.52Ti0.48O3薄膜,简称PLZT),掺杂La浓度分别为x=0％,1％,2％,3％,4％和5％.研究了La掺杂对锆钛酸铅(简称PZT)薄膜的晶向、微结构、介电和铁电性能的影响:X射线衍射(XRD)分析显示掺杂La使得薄膜的晶向取向趋于杂乱.扫描电子显微镜(SEM)分析显示当掺杂浓度小于等于3％时,薄膜的表面可以看到明显的晶界;随着掺杂浓度的增加,薄膜表面的晶界变得模糊.掺杂La 3％的PLZT薄膜的相对介电常数最大,100 Hz下达到1430.02,相比不掺杂PZT薄膜的相对介电常数提高了32.4％.掺杂La 1％的PLZT薄膜的铁电性能最优,相比不掺杂的PZT薄膜,+Pr从17.3μC/cm2增加到17.72μC/cm2,-Pr从14.43μC/cm2增加到16.98μC/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹赫麟	大连理工大学机械工程学院	10	24	3.0	4.0
2	许文才	大连理工大学机械工程学院	2	1	1.0	1.0
3	李奇	大连理工大学机械工程学院	1	0	0.0	0.0
4	王富安	大连理工大学机械工程学院	1	0	0.0	0.0