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摘要:
建立了一种应用于等离子显示器(PDP)显示单元的碳纳米管(CNT)辅助电极制备工艺方法,创新性提出了场发射作为PDP平板显示的辅助性应用,并对制备的CNT辅助电极样片进行了性能评价.文章通过三维轮廓和SEM微观形貌测试手段,表征工艺过程中CNT辅助电极的宏观尺度和微观形貌.通过拉曼光谱、傅里叶红外光谱、粒径分布和ZETA电位表征与其性能直接相关的体系分散性.通过对荷电盐浓度、电泳电压、电泳时间和阴阳极板间距的系统分析和优化,获得优化电泳参数.通过关键参数对比确定了前后处理工艺及其效果.对CNT辅助电极的场发射性能进行测试,初步评价其辅助性能并考察其与PDP单元制备流程的兼容性.优化工艺制备的CNT辅助电极场发射开启电压在10 μA/cm2的电流密度时低至1.2 V/μm.虽然在MgO保护层制备后增大至1.6 V/μm,但仍可保证其作为PDP辅助电极的典型功能.所建立的CNT辅助电极制备方法具备与PDP显示单元制备工艺有良好兼容性.
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文献信息
篇名 一种应用于PDP显示单元的CNT辅助电极制备方法及其性能评价
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 等离子体显示单元 碳纳米管 辅助电极 场发射
年,卷(期) 2017,(1) 所属期刊栏目 电子器件
研究方向 页码范围 50-56
页数 分类号 TN10|TN13|TN14
字数 语种 中文
DOI 10.13922/j.cnki.cjovst.2017.01.10
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王艳 上海交通大学微米纳米加工技术国家级重点实验室 91 927 17.0 27.0
2 刘启发 南京邮电大学通信与信息工程学院 3 0 0.0 0.0
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碳纳米管
辅助电极
场发射
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真空科学与技术学报
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大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
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