沉积温度和快速退火对磁控溅射法制备的AZO薄膜性能的影响

• 作者: 祝巍 谢宁致
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 工学
• 关键词: AZO薄膜 磁控溅射 衬底温度 真空退火 电学性能
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 近代与综合实验
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: O484|TN305.92
• 字数: 3027字
• 语种: 中文

摘要

探究了不同衬底温度下由磁控溅射法制备的氧化锌掺铝(AZO)薄膜的结构、光学和电学性能,以及快速退火处理对样品电学性能的改善作用.实验结果表明:随着衬底温度的升高,薄膜样品的载流子浓度、霍尔迁移率和电导率提高,并在400℃附近达到较好水平,但高温的衬底沉积出的样品薄膜的XRD图谱半高全宽相对于低温衬底并没有明显变小.测量退火处理后的样品薄膜的电学性质,发现短时间的真空退火能改善低温沉积的AZO薄膜的电导率,与提高衬底温度有类似的改善效果,700℃的退火温度能达到最好效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祝巍	中国科学技术大学物理学院物理实验教学中心	11	25	2.0	4.0
2	谢宁致	中国科学技术大学少年班学院	1	1	1.0	1.0