600V CoolMOS~（TM） CFD7 SJ MOSFET将性能提升到全新水准

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET COOLMOS 水准 性能 SMPS 股份公司 电动汽车 电信设备
• 年，卷（期）: bdtxx_2017,（6）
• 页码范围: 9-9
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

凭借600V CoolMOS~（TM） CFD7,英飞凌科技股份公司推出最新的高压超结MOSFET技术。该600V CoolMOS~（TM） CFD7是CoolMOS 7系列的新成员。这款全新MOSFET满足了高功率SMPS市场对谐振拓扑的需求。它的LLC和ZVS PSFB等软开关拓扑具备业内领先的效率和可靠性。这使其非常适合服务器、电信设备电源和电动汽车充电站等高功率SMPS应用。该600V CoolMOS CFD7的前身是CoolMOS CFD2。