阴离子对Mg(OH)2晶体生长及形貌的影响机理

• 作者: 丁珂 刘云义 孙晓君 常睿璇 李雪 程沛 范天博 裴冰野
• 来源期刊: 化工学报
• 关键词: 轻烧粉 电负性 分子模拟 布居数 机理
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 材料化学工程与纳米技术
• 页码范围: 3985-3992
• 页数: 8页
• 分类号: TQ132.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.11949/j.issn.0438-1157.20170416

摘要

以轻烧粉、氯化铵、硝酸铵、乙酸铵、硫酸铵为原料,氨气为沉淀剂,采用氨循环法制备氢氧化镁晶体,并通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)对其进行表征分析.采用Materials Studio分子模拟软件中的CASTEP模块,计算了Cl?、NO?3、CH3COO?对氢氧化镁晶体(001)、(101)晶面生长的影响.结果表明,采用不同的镁盐得到不同形貌的氢氧化镁晶体阴离子电负性越大,对晶体形貌影响越小;Mg(OH)2晶体的(001)、(101)晶面能量与布居数分析表明,Cl?、NO?3、CH3COO?使晶体的(001)、(101)面的表面能增大、Fermi能级减小,阴离子与(001)、(101)晶面之间形成新的具有微弱共价性的离子键,影响晶体晶面的生长.理论计算较好地解释了不同形貌的氢氧化镁晶体的形成原因.