4阶Colpitts MOS管混沌电路设计

• 作者: 冯烨佳 李文石 肖鹏
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: Colpitts电路 4阶混沌 MOS 李指数 实测数据
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 337-341
• 页数: 5页
• 分类号: TN710
• 字数: 3313字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2017.02.015

摘要

仅增加一个线性电容并联于单电感两端,使3阶Colpitts MOS管电路成为4阶混沌电路.该电容与电感形成选频谐振子电路,便于产生混沌信号,可扩展存在混沌的参数取值范围.结合新电路归一化状态方程,分别计算电感电流和三只电容端压的4个李指数,探讨关键参数对该混沌电路的影响.对比MATLAB仿真数据与实测单MOS管电路的输出,一致性地显示4阶混沌特有的混沌吸引子已经实现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李文石	苏州大学电子信息学院	63	284	10.0	13.0
2	肖鹏	苏州大学电子信息学院	4	2	1.0	1.0
3	冯烨佳	苏州大学电子信息学院	1	0	0.0	0.0