脉冲偏压对磁过滤阴极电弧离子镀ta-C薄膜性能的影响

• 作者: 于振华 干蜀毅 施毅 李琦 杨木 王永庆 董中林
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲偏压 磁过滤 四面体非晶碳 sp3键 硬度
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 结构薄膜
• 页码范围: 78-82
• 分类号: TB79
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2017.01.14

摘要

在不同脉冲偏压值下采用90°弯管磁过滤阴极电弧离子镀于硅片表面制备四面体非晶碳膜(Ta-C),研究了脉冲偏压对薄膜硬度、沉积速率、表面形貌及键价结构的影响.结论表明,薄膜沉积速率随脉冲偏压值的增加呈先增后减趋势,偏压值与膜层硬度值呈负相关性,高的偏压会抑制膜层中sp3键的形成,还能在一定程度上抑制大颗粒形成.本文研究内容为工业应用中通过脉冲偏压调整优化膜层综合性能提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于振华	合肥工业大学机械工程学院	23	144	7.0	11.0
2	干蜀毅	合肥工业大学机械工程学院	59	703	12.0	25.0
3	李琦	合肥工业大学机械工程学院	16	73	6.0	8.0
4	施毅	合肥工业大学机械工程学院	6	17	3.0	4.0
5	杨木	合肥工业大学机械工程学院	2	2	1.0	1.0
6	董中林	合肥工业大学机械工程学院	6	14	2.0	3.0
7	王永庆	合肥工业大学机械工程学院	5	6	1.0	2.0