在电子传输层中添加PVK提高钙钛矿太阳能电池的性能

• 作者: 刘少伟 印寿根 妙亚 曹焕奇 杨利营 杨银 王亚凌 秦文静 纪伟伟 董素娟
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钙钛矿 掺杂 界面工程 聚乙烯基咔唑 缺陷
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1210-1216
• 页数: 7页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 1086字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173809.1210

摘要

为了探究PVK对倒置平面异质结钙钛矿太阳能电池电子传输层的影响,向电子传输层PCBM中添加了一种富电子的聚乙烯基咔唑(PVK).采用原子力显微镜、PL光谱对薄膜进行了表征.实验结果表明:少量PVK的添加提高了覆盖在钙钛矿薄膜上PCBM层的平整度.当PVK的添加质量分数为4%时得到最佳器件效率,相比于纯PCBM作为电子传输层的器件,器件效率由(5.11±0.14)% 提升到(9.08±0.46)%.当PVK的添加质量分数大于4%时,粗糙度又趋于变大.PL光谱显示,少量PVK的加入使钙钛矿/电子传输层薄膜的PL强度降低,并使PL峰蓝移.研究表明:向PCBM中掺杂适量PVK能够改善钙钛矿/电子传输层/Al的界面接触,减少漏电流,并能够减少钙钛矿表面陷阱和晶界缺陷,减少电荷复合,从而提高了器件性能.