第三代半导体带来的机遇与挑战

• 作者: 林佳 黄浩生
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 第三代半导体 宽禁带 电力电子器件 SiC GaN
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 创新应用
• 页码范围: 83-86
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 4292字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.12.021

摘要

随着以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料(即第三代半导体材料)设备、制造工艺与器件物理的迅速发展,SiC和GaN基的电力电子器件逐渐成为功率半导体器件的重要发展方向.第三代半导体功率器件以更高的击穿电压、更高的热导率、更高的电子饱和漂移速率和更高的抗辐射能力开始在军事、航空航天等领域崭露头角.作者从第三代半导体材料性能应用、行业领先者及市场并购、各国发展战略以及中国力量与思考多个角度,浅析第三代半导体功率器件市场.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林佳		1	14	1.0	1.0