220 GHz新型SIW-波导过渡结构的设计

• 作者: 于伟华 刘军 吕昕
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太赫兹 基片集成波导 过渡结构
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 太赫兹科学技术
• 页码范围: 364-367
• 页数: 4页
• 分类号: TN62
• 字数: 1043字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201703.0364

摘要

基片集成波导(SIW)既有波导的损耗低、品质因数高、功率容量大的特点,又兼具微带线的低剖面、尺寸小、易于与其他平面电路集成的优点,被广泛应用于微波电路设计之中.鉴于目前测试系统及级联都采用矩形波导端口,为实现对SIW元器件的测试及系统集成,须对SIW元器件进行过渡结构设计.采用三维高频电磁仿真软件仿真和优化,设计了一种新型SIW-波导过渡结构.仿真结果表明:该结构在205~225 GHz频段内,带内插入损耗在0.5~0.6 dB之间,回波损耗大于12 dB;背对背结构,插入损耗小于1.5 dB,回波损耗大于10 dB,相对带宽11.4%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕昕	北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室	58	285	10.0	14.0
2	于伟华	北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室	20	67	4.0	7.0
3	刘军	北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室	8	9	2.0	2.0