低应力非晶硅薄膜的制备

• 作者: 王剑敏
• 来源期刊: 电子测试
• 关键词: 低应力 非晶硅 微机械 半导体制造
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 理论与算法
• 页码范围: 46-48
• 页数: 3页
• 字数: 2512字
• 语种: 中文

摘要

本文研究了三种降低非晶硅材料应力的手段:优化工艺参数.通过N2退火,将非晶硅的压应力变为张应力.通过额外的掺杂硼来改变非晶硅的应力.最初加入硼掺杂后应力会发生突变,但随着同步掺杂的浓度增加,最终的应力变化会趋向缓和.通过综合利用以上三个手段,最终的实际结果达到了预定的低应力目标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王剑敏		1	0	0.0	0.0