射频输入功率对DLC∶F∶Si薄膜结构和附着特性的调制机理

• 作者: 吴伟 张剑东 朱志鹏 江美福 钱侬 闵嘉炜
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 物理学
• 关键词: lDLC∶F∶Si薄膜 射频反应磁控溅射 附着力 共掺杂
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 363-367,384
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 4005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2017.03.004

摘要

以SiC陶瓷靶为靶材,Ar和CHF3为源气体,采用反应磁控溅射法在双面抛光的316L不锈钢基片上制备出了系列Si和F共掺杂的DLC∶ F∶ Si薄膜.研究了射频输入功率对薄膜的附着力、硬度和表面接触角的影响.结果表明,选取适当的输入功率(180W左右)可以制备出附着力达11N的DLC∶F∶Si薄膜.通过拉曼和红外光谱分析以及样品粗糙度分析,作者提出了输入功率对DLC∶ F∶ Si薄膜结构和特性调制的机理,即输入功率直接影响SiC靶的溅射产额、空间Ar+的能量以及CHF3的分解程度,继而影响空间Si、C、-CF、-CF2,特别是F*等基团的能量和浓度,调制薄膜中F含量以及Si-C键含量和C网络的关联度.Si-C、C=C键的增加有助于薄膜附着力的明显改善,F含量的减少则会导致薄膜的疏水性能有所下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴伟	苏州大学物理与光电能源学部	25	90	6.0	9.0
2	朱志鹏	苏州大学物理与光电能源学部	1	1	1.0	1.0
3	张剑东	苏州大学物理与光电能源学部	1	1	1.0	1.0
4	闵嘉炜	苏州大学物理与光电能源学部	1	1	1.0	1.0
5	江美福	苏州大学物理与光电能源学部	17	144	7.0	11.0
6	钱侬	苏州大学物理与光电能源学部	6	7	2.0	2.0