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摘要:
通过将a-Ge∶H/a-SiNx多层膜进行氧化,制备了nc-Ge/SiNx多层膜.观察到了室温下的强烈可见光发射,发光波长为500 nm.通过分析,排除了与量子限制效应有关的光发射机制,也排除了与Si和N相关的缺陷产生的复合机制,认为该发光源于氧化后的a-SiNx介质层中带尾态之间的辐射复合,最有效的激发能量约为介质层的带隙.
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量子点
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 nc-Ge/SiNx多层膜的光致发光特性
来源期刊 发光学报 学科 物理学
关键词 纳米锗 光致发光 辐射复合
年,卷(期) 2017,(9) 所属期刊栏目 材料合成及性能
研究方向 页码范围 1173-1178
页数 6页 分类号 O433|O472+.3
字数 4008字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20173809.1173
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 许彦鑫 中国电子科技集团公司第三十八研究所 8 4 1.0 2.0
2 李悰 中国电子科技集团公司第三十八研究所 4 1 1.0 1.0
6 何宏平 中国电子科技集团公司第三十八研究所 2 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
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纳米锗
光致发光
辐射复合
研究起点
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研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
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29396
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