氮气气氛下热处理温度对HfO2薄膜基底界面结构的影响

• 作者: 严楷 曹江利 杨立平 赵园园
• 来源期刊: 陶瓷学报
• 学科: 工学
• 关键词: HfO2薄膜 基底界面 表面结构 结构缺陷 扩散
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与探索
• 页码范围: 309-314
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 2394字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2017.03.004

摘要

通过电子束蒸发镀膜方法在SiO2(native)/n-Si(100)基底上沉积HfO2薄膜,采用俄歇电子能谱、原子力显微镜、掠入射X射线衍射以及X射线光电子能谱研究氮气气氛下热处理温度对HfO2薄膜基底界面结构的影响.结果表明氮气气氛下热处理能够引起HfO2薄膜基底界面层的宽化,并且随着热处理温度的提高,基底界面层内氧含量以及界面宽度会不断增加.当处理温度升至900℃时,薄膜基底界面宽度相对于沉积态的增加了约20 nm;并且薄膜表面粗糙度由起初的0.184 nm增加至1.047 nm,此时HfO2薄膜层内的缺陷密度达到最大.薄膜层缺陷密度的增多能够引起基底界面层内氧含量的增加,进而导致了基底界面层化学结构的改变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹江利	北京科技大学新材料技术研究院	13	38	4.0	6.0
2	严楷	清华大学化学系	3	5	2.0	2.0
6	杨立平	清华大学化学系	2	0	0.0	0.0
7	赵园园	北京科技大学新材料技术研究院	1	0	0.0	0.0