GaN/InxGa1-xN型最后一个量子势垒对发光二极管内量子效率的影响

• 作者: 张勇辉 张紫辉 时强 李路平 毕文刚
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 氮化镓 发光二极管 InGaN/GaN多量子阱 内量子效率
• 年，卷（期）: 2017,（15）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 313-321
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.158501

摘要

GaN/InxGa1-xN型最后一个量子势垒结构能有效提高发光二极管(LED)器件内量子效率,缓解LED效率随输入电流增大而衰减的问题.本文综述了该结构及其结构变化——In组分梯度递增以及渐变、GaN/InxGa1-xN界面极化率改变等对改善LED器件性能的影响及优势,归纳总结了不同结构的GaN/InxGa1-xN型最后一个量子垒的工作机理,阐明极化反转是该结构提高LED性能的根本原因.在综述该结构发展的基础之上,通过APSYS仿真计算,进一步探索和深入分析了该结构中InxGa1-xN层的In组分及其厚度变化对LED内量子效率的影响.结果表明:In组分的增加有助于在GaN/InxGa1-xN界面产生更多的极化负电荷,增加GaN以及电子阻挡层处导带势垒高度,减少电子泄漏,从而提高LED的内量子效率;但GaN/InxGa1-xN型最后一个量子势垒中InxGa1-xN及GaN层厚度的变化由于会同时引起势垒高度和隧穿效应的改变,因而InxGa1-xN和GaN层的厚度存在一个最佳比值以实现最大化的减小漏电子,提高内量子效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张紫辉	河北工业大学电子信息工程学院	5	1	1.0	1.0
3	张勇辉	河北工业大学电子信息工程学院	3	1	1.0	1.0
5	时强	河北工业大学电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0
9	李路平	河北工业大学电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0