基于IGBT模块饱和压降温度特性的结温探测研究

• 作者: 姚芳 李志刚 王少杰
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 结温探测 温度特性 饱和压降
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 291-295
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 字数: 2715字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2017.02.006

摘要

实验室条件下,IGBT模块的结温探测是瞬态热阻抗测试的关键.首先分别在热稳态和热瞬态下证明了饱和压降温度特性只与芯片有关,然后建立了IGBT模块结温探测模型,利用饱和压降值和集电极电流值来计算结温值,并将用模型计算出的结温与光纤实测的结温相比较,吻合性良好,证明了模型计算法能够准确探测结温.该方法可以用于恒流加热过程中瞬态热阻抗的测量,比起热敏参数法中冷却过程测量瞬态热阻抗相比,更具有实际意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志刚	河北工业大学电气工程学院	150	975	15.0	22.0
2	姚芳	河北工业大学电气工程学院	42	270	10.0	15.0
3	王少杰	河北工业大学电气工程学院	7	56	4.0	7.0