无压烧结SiC-AlN复相陶瓷导热和介电性能的研究

• 作者: 杨群 潘勃 王玉春
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: SiC-AlN 无压烧结 BaO-SiO2-Y2O3烧结助剂 氮气氛 热导率 介电性能
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 6-11
• 页数: 6页
• 分类号: TN28
• 字数: 3722字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.05.002

摘要

添加10%(质量分数)BaO-SiO2-Y2O3烧结助剂在氮气氛下无压烧结制备SiC-AlN复相陶瓷.研究了SiC含量、烧结温度对复相陶瓷烧结性能、显微结构、热导率和高频介电性能的影响.结果表明:样品中主晶相为6H-SiC和AlN,次晶相为Y3Al5O12和Y4Al2O9;当SiC质量分数为50%时,1850℃烧结1 h,显气孔率低于0.3%;而SiC含量继续增加,显气孔率显著上升.热导率、介电常数和介电损耗都随着烧结温度的升高而升高.当SiC质量分数为50%时,1900℃下复相材料呈现最好的热扩散系数和热导率,分别为26.3 mm2·s–1和61.5 W·m–1·K–1;1850℃下获得的SiC-AlN复相陶瓷在12.4~18 GHz频率范围内获相对介电常数和介电损耗分别为33~37和0.4~0.5,该频段内随频率升高,介电常数和介电损耗下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玉春		10	8	2.0	2.0
2	杨群	南京工业大学材料科学与工程学院	4	1	1.0	1.0
3	潘勃	南京工业大学材料科学与工程学院	2	3	1.0	1.0