(Zn1-x,Mgx)2GeO4∶Mn2+的荧光以及长余辉发光性能

• 作者: 丛妍 张瑱 朱子茂 李斌 王子文 董斌 过诚
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 化学
• 关键词: 长余辉发光 (Zn1-x,Mgx)2GeO4∶Mn2+ 热释光
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1161-1166
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31|O614.43+2
• 字数: 2561字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173809.1161

摘要

采用高温固相法制备了一系列(Zn1-x,Mgx)2GeO4∶Mn2+(0≤x≤0.25)绿色荧光粉,并研究了Mg离子对(Zn1-x,Mgx)2GeO4∶Mn2+的结构、荧光以及长余辉发光性能的影响.Mg离子取代Zn进入Zn2GeO4晶格,形成(Zn1-x,Mgx)2GeO4固溶体,并产生了晶格畸变.光谱分析结果表明,样品中位于533 nm的绿色荧光源于Mn2+的4T1(4G)→6A1(6S)跃迁.随着Mg离子浓度的增加,(Zn1-x,Mgx)2GeO4∶Mn2+样品的激发光谱出现了蓝移现象,说明Mg离子进入到Zn2GeO4晶格中对其晶格结构产生了影响,导致(Zn1-x,Mgx)2GeO4的带宽发生改变.发射光谱则表明Mg离子进入Zn2GeO4晶格引起Mn2+的4T1(4G)→6A1(6S)跃迁绿色荧光发光强度的增强.Zn2GeO4基质中的氧空位缺陷陷阱深度由于基质带宽的变化而变深,样品具有良好的长余辉发光效果.通过热释光谱分析研究了材料中缺陷陷阱的特征,进一步证实了(Zn1-x,Mgx)2GeO4中缺陷陷阱深度发生改变.根据光谱分析结果给出了(Zn1-x,Mgx)2GeO4∶Mn2+中荧光与余辉发光的产生机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丛妍	大连民族大学物理与材料工程学院	14	35	3.0	4.0
2	过诚	大连民族大学物理与材料工程学院	2	4	1.0	2.0
3	董斌	大连民族大学物理与材料工程学院	15	30	3.0	3.0
4	朱子茂	大连民族大学物理与材料工程学院	2	4	1.0	2.0
5	王子文	大连民族大学物理与材料工程学院	4	4	1.0	2.0
6	张瑱	大连民族大学物理与材料工程学院	3	4	1.0	2.0