集成电路制造工艺中ESD IMP技术及其应用

• 作者: 温德通
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 离子注入 电流驱动 器件防护 ESD
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 51-53
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 1819字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.12.011

摘要

ESD NMOS需要进行ESD IMP离子注入,目的是降低NMOS漏端与PW的击穿电压.为了提高器件的ESD防护能力,工艺上发展出ESD IMP工艺技术,同时设计出ESD器件.ESD IMP工艺技术是在原先的工艺中增加一道ESD IMP,所以需要一层额外的Mask光罩.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温德通		1	2	1.0	1.0