微沟槽缺陷的形成与改进

• 作者: 戴学春
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 反应离子刻蚀 微沟槽 离子能量 平均自由程 腔体压力 源功率 偏压功率 气体比率
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 47-50
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2925字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.12.010

摘要

随着集成电路密度的不断提高,多晶硅栅的线宽不断变小,栅氧化层的厚度继续变薄,多晶硅的刻蚀变得越来越关键.多晶硅栅的形貌控制,栅氧化层二氧化硅的损失等关键特征已经被普遍关注.多晶硅刻蚀中的另一种现象:微沟槽缺陷(microtrench defect)也显得越发重要.该现象会造成器件的大面积漏电,严重杀伤每一个管芯,造成硅片的报废.作者通过相关试验,从工艺参数的角度对微沟槽缺陷的形成和控制做了讨论,对主要工艺参数对微沟槽缺陷的影响作了分组实验,为优化工艺参数来彻底防止微沟槽缺陷提供必要的指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴学春		2	0	0.0	0.0