Cl2/Ar/O2环境下使用光刻胶掩膜的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀GaAs的研究

• 作者: 任晓敏 刘凯 刘昊 吴瑶 段晓峰 王琦 范惠泽 蔡世伟 费嘉瑞 黄永清
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 感应耦合等离子体刻蚀 Cl2 O2 刻蚀速率 表面的粗糙度
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 等离子体技术
• 页码范围: 286-289
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2228字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2017.03.09

摘要

自1970年,元件制造首先采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术后,至今30多年,它的发展与集成电路和光电子器件发展密不可分,很大程度上,干法刻蚀的水平决定了整个产业的水平和规模.在本文中,本课题组使用ICP刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在Cl2/Ar/O2环境下,研究控制刻蚀气流组成成分,刻蚀气流总速率等不同的刻蚀条件对于GaAs材料刻蚀速率的影响.实验表明,当刻蚀气流的成分不变的情况下,GaAs的刻蚀速率随着总刻蚀气流速率的增加而增加.刻蚀孔径的大小和Cl2的含量多少也会影响GaAs的刻蚀速率.当O2的含量在5％左右或者大于5％的实验中,GaAs材料的刻蚀表面的粗糙度几乎没有被刻蚀所影响.同时,给出了实验现象的简要分析和解释.