高电源电压抑制比带隙基准电压源设计

• 作者: 彭永达 李洁颖 王超 王龙 肖海鹏 贾新亮 陈玉辉
• 来源期刊: 电子技术
• 关键词: 高电源电压抑制比 低温漂 调节型共源共栅 低频增益
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 电子技术设计与应用
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 字数: 1833字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2017.11.019

摘要

文章设计了一种高电源电压抑制比的带隙基准电压源.利用两级单端输出运算放大器给基准源提供偏置电压,使核心电路部分脱离电源电压的噪声影响,且在放大器的输出与尾电流管的栅极之间添加共源放大器构成调节型共源共栅反馈回路,提高放大器的低频增益,同时使放大器电源到输出的增益接近于1,从而达到高电源抑制比.基于NUVOTON 0.35μm CMOS工艺,采用Cadence软件的Spectre工具完成电路设计的仿真与调试.电源电压采用3.3V.仿真结果表明放大器低频增益达95dB,电源到输出的增益为0.958.温漂系数达10.33ppm/℃,电源抑制比达到-127dB@10Hz.该带隙基准电压源可应用于CMOS图像传感器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王龙	长沙理工大学物理与电子科学学院	26	21	3.0	3.0
2	贾新亮	长沙理工大学物理与电子科学学院	7	13	2.0	3.0
3	彭永达	长沙理工大学物理与电子科学学院	7	14	2.0	3.0
4	王超	长沙理工大学物理与电子科学学院	18	47	4.0	5.0
5	陈玉辉	长沙理工大学物理与电子科学学院	6	4	1.0	1.0
6	李洁颖	长沙理工大学物理与电子科学学院	4	2	1.0	1.0
7	肖海鹏	长沙理工大学物理与电子科学学院	3	2	1.0	1.0