局部氮化硅包覆颗粒在高效多晶硅铸锭中的应用

• 作者: 周建华 尹长浩 王梓旭 董慧 钟根香 黄新明
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高效多晶硅 异质形核 复合颗粒 引晶
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 317-322
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 4116字
• 语种: 中文

摘要

降低多晶硅晶体中的位错密度,可以提高多晶硅电池的性能,目前多采用异质形核的方法来生长柱状晶粒,以降低晶体中的位错密度,但是目前普遍采用的以SiO2颗粒作为异质形核点的方法容易导致硅锭底部和坩埚粘连,并导致硅锭中间隙氧(Oi)含量升高.该文通过制备局部氮化硅包覆的SiC-SiO2复合颗粒(PCP)作为异质形核点来生长柱状晶粒.结果显示采用适当粒径(300～500μm)的PCP具有较好的引晶效果,且对应硅锭的O,含量显著降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董慧	南京工业大学材料科学与工程学院	2	10	2.0	2.0
2	尹长浩	南京工业大学材料科学与工程学院	7	36	4.0	5.0
6	王梓旭	南京工业大学材料科学与工程学院	2	10	2.0	2.0
7	钟根香		6	37	4.0	6.0
8	周建华		1	3	1.0	1.0
9	黄新明	南京工业大学材料科学与工程学院	9	39	4.0	6.0