空位缺陷对β-AgVO3电子结构和光吸收性能的影响

• 作者: 任超 刘瑞萍 徐利春 李秀燕 杨致 落全伟
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: β-AgVO3 密度泛函理论 电子结构 光吸收
• 年，卷（期）: 2017,（15）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 255-263
• 页数: 9页
• 字数: 3734字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.157101

摘要

基于密度泛函的第一性原理研究了Ag空位、O空位和Ag-O双空位对β-AgVO3的电子结构及光学性质的影响.采用广义梯度近似平面波超软赝势GGA+U方法,对不同缺陷体系的形成能、能带结构、电子态密度、差分电荷密度和吸收光谱进行了计算和分析.通过比较不同Ag空位和O空位的形成能,确定了β-AgVO3中主要形成Ag3空位和O1空位,并且Ag空位较O空位更容易形成.Ag3空位和O1空位的存在都使得β-AgVO3带隙有一定程度的减小;Ag3空位使β-AgVO3呈现p-型半导体性质,而O1空位和Ag3-O1双空位使β-AgVO3呈现n-型半导体性质.Ag3和O1空位对晶体在可见光范围内的光吸收影响较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李秀燕	太原理工大学物理与光电工程学院	35	160	6.0	12.0
2	刘瑞萍	太原理工大学物理与光电工程学院	14	17	3.0	3.0
3	徐利春	太原理工大学物理与光电工程学院	5	7	1.0	2.0
4	杨致	太原理工大学物理与光电工程学院	10	9	1.0	2.0
5	落全伟	太原理工大学物理与光电工程学院	3	2	1.0	1.0
6	任超	太原理工大学物理与光电工程学院	5	9	1.0	3.0